Œ^–¼ ŽÐ–¼ —p“r \‘¢ Å‘å’èŠi Max. Ratings (Ta=25ßC) “d‹C“I“Á« Elec. Character. (Ta=25ßC) ŠOŒ` ”õl
Mnf. App. Type VCBO VEBO Ic Pc Tj ’¼—¬–”‚̓pƒ‹ƒXhFE fab/ft* Cob Pac. Dim. No.
(V) (V) (mA) (mW) (ßC) VCE(V) Ic(mA) (MHz) (pF)
2SC901 ¼‰º PA Si.TMe 200 6 5A 50W(Tc=70ßC) 150 25 4 5A 50* 102
2SC901A ¼‰º PA Si.EP 250 6 5A 50W(Tc=70ßC) 150 25 4 5A 50* 102
2SC902 •xŽm’Ê SW Si.TMe 150 6 10A 75W(Tc=25ßC) 175 50 4 5A 102
2SC903 ŽO•H PA Si.EP 35 4 300 200 125 100 2 150 150* 10 138B
2SC904 ŽO•H PA Si.EP 50 4 300 200 125 100 2 150 150* 10 138B
2SC905 ŽO•H PA Si.EP 65 4 300 200 125 80 2 150 150* 10 138B
2SC906 •xŽm’Ê PA.SW " 50 7 500 600 175 160 4 10 70* 89
2SC907 “ú—§ RF.SW.AF Si.DB 40 5 100 200 175 200 1 10 240* 1.7 12A
2SC907A “ú—§ RF.SW.AF Si.DB 60 5 100 200 175 120 1 10 240* 1.7 12A
2SC908 ŽO•H PA Si.EP 40 4 500 860 175 50 10 100 84B
2SC909 ŽO•H PA Si.EP 40 4 500 7W(Tc=25ßC) 200 50 10 100 113
2SC910 ŽO•H PA Si.EP 40 3 1A 10W(Tc=25ßC) 200 113
2SC911 ŽO•H PA Si.EP 40 4 500 1.7W 175 50 10 100 271
2SC911A ŽO•H PA Si.EP 40 4 500 1.7W 175 50 10 100 271
2SC912 ŽO•H RF.Conv. Si.EP 30 5 100 150 150 90 6 10 150* 2.5 8A
Mix.Osc.SW
2SC913 •xŽm’Ê. SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 1 30 2.5 49C
‰«.“ú“d
2SC914 " SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 1 30 2.5 49C
2SC914A •xŽm’Ê, SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 1 30 49C
‰«,“ú“d,“ú—§
2SC915 •xŽm’Ê. SW Si.EP 30 5 300 300 175 70 1 30 2.5 49C
‰«.“ú“d
2SC915A •xŽm’Ê, SW Si.EP 30 5 300 300 175 70 1 30 49C
‰«,“ú“d,“ú—§
2SC916 " SW Si.EP 100 5.5 1.5A 2W 175 70 1 400 30 83
2SC917 “ú—§ RF Si.P 40 50 300 175 40 10 10 800* 1 56C
2SC918 ƒ\ƒj[ RF Si.DB 20 30 188 100 80 10 4 0.7 205C
2SC920 “ú“d RF.Conv. Si.E 50 5 30 150 150 75 3 0.5 250* 1.6 23
Mix.Osc.LN
2SC921 “ú“d RF.Conv.Mix.Osc. Si.E 25 2 10 100 150 65 3 0.5 650* 0.9 23
2SC922 “ú“d RF.Conv.Mix.Osc. Si.E 30 5 20 250 125 80 6 1 650* 1.1 138
2SC923 “ú“d RF.AF Si.E 40 5 100 250 125 500 3 0.5 100* 3.5 138 2SA641‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC924 “ú“d RF.AF Si.EP 30 50 250 125 100 3 0.5 250* 1.8 138
2SC925 “ú“d RF.AF.SW Si.EP 30 5 50 250 125 130 12 2 250* 1.8 138
2SC926 ƒ\ƒj[ RF.SW Si.DB 115 3.5 100 100 120 50 3 1 160* 2.5 38
2SC926A ƒ\ƒj[ RF.AF.SW Si_DB 210 5 30 320 120 100 3 1 160* 2.2 38
2SC927 ŽO—m RF.LN Si.TP 30 3 20 150 125 80 6 1 500* 0.7 205C
2SC928 ŽO—m RF Si.TP 30 3 20 150 125 80 6 1 500* 0.7 205C
2SC929 ŽO—m RF.Conv.LN Si.EP 30 5 30 250 125 100 6 1 300* Cre1.3 138
2SC930 ŽO—m RF Si.EP 30 5 30 250 125 80 6 1 300* Cre1.3 138
2SC931 ŽO—m PA Si.TMe 50 3A 10W(Tc=25ßC) 125 70 2 1A 120* 100 120
2SC932 ŽO—m PA Si.TMe 30 3A 10W(Tc=25ßC) 125 70 2 1A 120* 100 120
2SC933 ŽO—m AF Si.EP 50 5 300 300 125 150 5 20 300* 5 138
2SC934 ŽO—m AF Si.EP 20 5 300 300 125 150 15 20 300* 5 138
2SC935 “ú—§ PA Si.T 300 5 2.5A 50W(Tc=25ßC) 150 14 10 300 102
2SC936 “ú—§ PA Si.T 1000 5 1A 22W 125 45 10 100 102
2SC936A “ú—§ PA Si.TMe 1000 5 1A 22W(Tc=25ßC) 150 45 10 100 7* 35 102
2SC937 “ú—§ PA Si.T 1200 6 2.5A 22W(Tc=25ßC) 125 8 10 2.5A 102
2SC938 “ú“d RF Si.E 60 5 200 250 125 80 1 50 90* 7.5 138
2SC939 “ú“d PA.SW Si.EMe 150 7 5A 50W(Tc=25ßC) 150 70 5 5A 20* 150 102
2SC940 “ú“d PA.SW Si.EMe 200 7 5A 50W(Tc=25ßC) 150 40 5 5A 20* 150 102
2SC941 “ŒŽÅ RF.LN Si.E 35 4 100 400 125 40-240 12 2 120* Cre2.2 138
2SC942 •xŽm’Ê RF Si.EP 20 3 20 300/unit 175 700* 1.3 122C ’¼Œ‹2’i2‘fŽq•¡‡
2SC943 “ú“d RF Si.E 60 8 200 300 150 150 1 10 250* 3.4 49C
2SC944 “ú“d RF.AF.SW Si.E 60 8 100 250 125 180 10 2 250* 2.2 138
2SC945 “ú“d RF.AF Si.E 60 5 100 250 125 200 6 1 250* 3 138 2SA733‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC947 ¼‰º RF.Conv. Si.P 25 3 15 150 175 20 10 2 650* Cre0.33pS 50C
Mix.Osc.PA
2SC948 ¼‰º RF Si.P 25 3 15 150 175 24 10 3 800* Cre 0.33pS 50C
2SC949 V“ú–³ RF.AF.LN Si.EP 45 5 50 200 125 150 6 1 200* 2 138 2SA763‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC950 V“ú–³ RF.AF Si.EP 30 5 100 300 125 100 6 1 100* 4 138 2SA573‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC951 V“ú–³ RF.AF Si.EP 60 5 100 300 125 100 6 1 100* 4 138 2SA574‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC952 V“ú–³ RF Si.EP 100 5 100 300 125 100 6 1 100* 4 138 2SA575‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC953 V“ú–³ RF Si.EP 30 200 600 125 80 1 100 90* 5 31
2SC954 V“ú–³ RF.PA Si.EP 60 400 600 125 100 1 100 90* 5 31
2SC955 V“ú–³ RF Si.EP 20 50 150 125 100 6 1 150* 2 29
2SC956 V“ú–³ RF.AF Si.EP 50 5 50 150 125 250 6 1 200* 2 29
2SC957 ƒ\ƒj[ RF Si.DB 30 100 360 100 30 3 1 1.5 206C
2SC959 “ú“d PA Si.E 120 5 700 700 150 80 5 200 >50* <50 84B 2SA606‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC960 “ú“d PA Si.E 120 5 700 1W 150 80 5 200 >50* <50 97B 2SA607‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC961 ŽÅ“d PA Si.TMe 120 5 7A 60W(Tc=25ßC) 150 60 4 1A 13* 350 102
2SC962 ŽÅ“d PA Si.TMe 100 5 7A 60W(Tc=25ßC) 150 60 4 1A 102
2SC963 •xŽm’Ê RF Si.EP 35 4 50 250 175 70 6 1 200* 2 55C
2SC964 •xŽm’Ê RF Si.EP 35 4 50 250 175 100 6 1 200* 2 55C
2SC965 •xŽm’Ê RF.SW Si.EP 45 4 100 250 175 130 6 1 200* 2 55C
2SC966 •xŽm’Ê RF.AF.LN Si.EP 30 5 200 500 175 160 4 10 70* 10 55C
2SC967 •xŽm’Ê RF.AF.PA Si.EP 30 5 500 500 175 160 4 10 70* 10 55C
2SC968 •xŽm’Ê RF.PA Si.EP 50 5 500 500 175 160 4 10 70* 10 55C
2SC969 •xŽm’Ê RF.AF.LN Si.EP 50 200 500 175 160 4 10 60* 10 55C
2SC970 •xŽm’Ê RF.SW Si.EP 50 7 500 500 175 160 4 10 70* 10 55C
2SC971 •xŽm’Ê RF.PA Si.EP 50 5 500 1W 175 160 4 10 70* 10 90
2SC972 ŽO—m " Si.EP 70 5 400 600 150 40-200 4 200 80* 84B
2SC973 ŽO•H PA Si.EP 40 4 500 7W(Tc=25ßC) 175 50 10 100 126
2SC973A ŽO•H PA Si.EP 40 4 700 12W(Tc=25ßC) 175 50 10 100 126
2SC974 ŽO•H PA Si.EP 35 1A 10W(Tc=25ßC) 200 50 10 100 126
2SC975 ŽO•H PA Si.EP 35 5 1.5A 17W(Tc=25ßC) 175 50 10 100 126
2SC975A ŽO•H PA Si.EP 40 5 1.5A 20W(Tc=25ßC) 175 50 10 100 126
2SC976 ŽO•H PA Si.EP 55 4 400 5W(Tc=25ßC) 175 50 28 20 126
2SC977 ŽO•H PA Si.EP 55 4 600 10W(Tc=25ßC) 175 50 28 50 126
2SC978 ŽO•H PA Si.EP 55 4.5 1.2A 18W(Tc=25ßC) 175 50 28 50 126
2SC979 “ŒŽÅ RF.SW Si.E 70 5 100 300 175 40-240 1 10 250* 3 49C 2SA499‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC979A “ŒŽÅ RF.SW Si.E 100 5 100 300 175 40-140 1 10 250* 3 49C
2SC980 “ŒŽÅ RF.SW Si.E 70 5 100 400 125 70-240 1 10 250* 3 138
2SC980A “ŒŽÅ RF.SW Si.E 90 5 100 400 125 70-140 1 <10 250* 3 138
2SC981 “ŒŽÅ PA Si.E 100 5 5A 25W(Tc=25ßC) 150 70 1.5 5A 10* 80 99
2SC982 “ŒŽÅ AF.SW Si.E 40 10 300 400 125 >5000 5 10 138 ƒ_[ƒŠƒ“ƒgƒ“
2SC983 “ŒŽÅ AF.SW Si.TP 250 5 50 600 150 40-240 5 10 120* <5.5 131
2SC984 “ú—§ AF.SW Si.EPa 50 4 500 350 175 80 3 10 230* 5 12A 2SA565‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC985 “ú“d RF.LN Si.E 20 3 40 200 150 80 5 15 3200* 0.6 26
2SC985A “ú“d RF.LN Si.E 20 3 40 300 200 100 10 15 3700* 0.6 26
2SC986 RF Si.E 35 3 200 3.5W(Tc=25ßC) 200 100 15 70 2500* 1 146A
2SC987 “ú“d RF Si.E 20 3 30 150 150 80 10 10 4500* 0.35 26
2SC987A “ú“d RF.LN Si.E 20 3 30 250 200 100 10 10 4500* Cre 0.4 26
2SC988 “ú“d RF.LN Si.E 20 3 30 200 200 100 10 10 3000* Cre0.5 50C
2SC988A “ú“d RF Si.E 20 3 30 200 200 100 10 10 3000* Cre 0.5 50C
2SC988B “ú“d RF Si.E 20 3 30 200 200 100 10 10 3000* Cre 0.5 50C
2SC989 “ú“d RF.LN Si.E 20 3 50 300 200 80 1 30 3000* 0.9 25
2SC990 “ú“d PA Si.E 50 4 2A 24W(Tc=25ßC) 175 40 10 1A 400* 25 116
2SC991 “ŒŽÅ PA Si.EP 36 4 400 600 175 30 3 100 500* 5 84B
2SC992 “ŒŽÅ PA Si.EP 36 4 600 600 175 30 3 100 500* 5 84B
2SC993 •xŽm’Ê RF Si.EP 25 200 200 175 400* 3.5 46C
2SC994 “ŒŽÅ RF.PA Si.EP 36 3 100 600 175 20-400 3 100 500* 3.8 84B
2SC995 “ŒŽÅ RF.PA Si.TP 300 5 150 800 150 25-400 10 50 100* 4.2 84B
2SC996 “ŒŽÅ RF.PA Si.TP 300 5 150 1.2W 150 25-400 10 50 100* 4.2 97B
2SC997 “ŒŽÅ RF Si.P 40 25 150 150 70 10 4 600* 1.5 117C
2SC998 “ŒŽÅ PA Sj.EP 40 4 400 600 175 >20 5 50 550* 6.5 84B
2SC999 “ŒŽÅ RF.PA.SW Si.TMe 1500 5 1.5A 50W(Tc=25ßC) 150 50 15 150 1 70 102
2SC999A “ŒŽÅ RF.PA.SW Si.TMe 1500 5 2.5A 50W(Tc=25ßC) 150 30 15 200 4 80 102
2SC1000 “ŒŽÅ LN Si.E 60 5 150 400 125 200-700 6 2 80* 6 138 2SA493‚ƃRƒ“ƒvƒŠ